Ladda din telefon i 5 timmar på 5 minuter från sommaren 2017

Qualcomm har meddelat lanseringen av Snapdragon 835, efterföljaren av Snapdragon 821 som klockar på 2, 35 GHz. Tillsammans med det tillkännagav företaget också sin kommande Quick Charge 4-teknik, som gör det möjligt för användare att ladda sina enheter för 5 timmars användning inom 5 minuter.

Företaget fokuserar på att förbättra batteriets livslängd och laddningstekniken, eftersom köparna söker bättre batteri och snabbladdningsalternativ idag när de köper en telefon.

Ladda din telefon i 5 timmar på 5 minuter

Den USA-baserade multinationella har också avslöjat sin Quick Charge 4-teknik tillsammans med den nya processorn, som företaget hävdar kommer att ge din enhet 5 timmars batteritid på 5 minuters laddning.

Den nya laddningstekniken fungerar 20% snabbare, med 30% ökad effektivitet än Quick Charge 3. Det betyder inte att din enhet också kommer att värmas upp snabbt, eftersom den nya tekniken kommer att fungera vid 5 ° C kallare temperaturer.

Quick Charge 4 hjälper också din enhet att ladda 50% batteri på 15 minuter eller mindre.

Det är helt klart en lägre procentandel jämfört med OnePlus 'Dash-laddningsteknologi, som har funnits på marknaden i flera månader nu.

Nedan är några av de funktioner som Quick Charge 4 får över sina föregångare.

• USB-typ-C och USB-kraftleverans: I en strävan att tillhandahålla snabbladdningsfaciliteter till massorna standardiserade Qualcomm Quick Charge 4-adaptrar så att de kan stödja flera enheter.
• Battery Saver: Implementerad för att förlänga batteriets livslängd och skydda batteriet, systemet, kabeln och kontakten genom att mäta spänningsström och temperatur.
• Intelligent förhandling för optimal spänning (INOV): Detta är en algoritm som hjälper systemet att bestämma optimal effektöverföring och maximera effektiviteten. Detta hjälper till att skydda telefonen mot överhettning på grund av kraftöverspänningar när du är ansvarig.
• Dubbelladdning: Den här tekniken möjliggör snabb laddning via effektiv termisk spridning.

Snapdragon kommer att bli ännu smartare med chipsetet 835

Företaget har samarbetat med Samsung för att utveckla sitt nästa flaggskepp SoC. Snapdragon 835 kommer att byggas på Samsungs 10 nm FinFET-nod, som förbrukar 40 procent mindre ström, och därmed ger processorn en total prestandaförbättring på 27% jämfört med sina föregångare.

10 nm FinFET-noden möjliggör också 30% areaffektivitet på grund av dess mindre storlek jämfört med den tidigare använda 14 nm-noden.

Den mindre storleken hindrar inte prestandan utan snarare frigör mer utrymme för chipsettillverkarna att lägga till ytterligare funktioner eller bara göra enheten smalare.

Qualcomms Snapdragon 835 och Quick Charge 4 kommer båda att vara tillgängliga i slutet av andra kvartalet 2017.